產(chǎn)品特性：
- 采用薄型封裝
- 滿足空間受限設計對更小封裝的需求
- 滿足對電池充電和功率多工的效率和熱性能需求
應用范圍：
- 適用于在最新的便攜式手機、媒體播放器和醫(yī)療設備中常見的薄型設計
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關(guān)重要的效率和熱性能需求。
相比傳統(tǒng)MOSFET器件，F(xiàn)DFMA2P859T具有出色的功率耗散和傳導損耗特性，且其封裝高度為0.55mm，比行業(yè)標準0.8mm MicroFET降低了30%，適用于在最新的便攜式手機、媒體播放器和醫(yī)療設備中常見的薄型設計。
FDFMA2P859T專為滿足客戶的設計需求而開發(fā)，在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能，并確保肖特基二極管在Vr=10V下保持1µA的極低反向泄漏電流(lr)。這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率。
FDFMA2P859T是飛兆半導體廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，此系列的特別設計能夠滿足當今和未來設計之效率、空間和熱性能需求。
