中心議題：
- 加強(qiáng)ESD保護(hù)
加強(qiáng)ESD保護(hù)的技巧的解決方案：
- 縮短寄生“截?cái)?rdquo;跡線(xiàn)的長(zhǎng)度或LESD
- 縮短GND跡線(xiàn)長(zhǎng)度和/或減少使用通孔數(shù)量以便縮短LGND
- 讓特定設(shè)計(jì)上的LIC/LPORT比盡可能地小
- 在ESD器件和IC直接添加緩沖電阻器
ESD 器件的主要目的是提供電阻最低的接地分流路徑。根據(jù)這種理念，我們?yōu)殡娐钒逶O(shè)計(jì)者提供了一種能夠讓他們計(jì)算ESD瞬變時(shí)保護(hù)器件的有效電阻的方法。該電阻或動(dòng)態(tài)電阻可用于比較和從當(dāng)今市面上的大量ESD器件中選擇最合適的器件。我們得出的結(jié)論是，考慮到其他所有寄生效應(yīng)之后，動(dòng)態(tài)電阻最低的器件能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)者提供一舉成功的機(jī)會(huì)。
在本文章中，我們將介紹各種技巧，電路板設(shè)計(jì)者可以用它們幫助自己實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)所需的ESD等級(jí)，從而保證所選的ESD保護(hù)器件能夠通過(guò)在系統(tǒng)ESD測(cè)試。
背景
現(xiàn)代電子設(shè)備（從LCD電視到手機(jī)）使用的很多芯片集都是采用130nm以下的工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。這些技術(shù)的最低DC電壓容差超過(guò)3.3V，所以ESD脈沖對(duì)這類(lèi)器件的影響是毀滅性的。并且，“板上”或“片上”ESD保護(hù)要求已降至500V，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于8kV 現(xiàn)場(chǎng)要求的典型值。
因此，考慮到小型芯片集的弱點(diǎn)，電路板設(shè)計(jì)者不僅需要外部ESD保護(hù)，還需要確保它足夠穩(wěn)定。如先前的白皮書(shū)所述，在受保護(hù)的數(shù)據(jù)線(xiàn)路或I/O引腳上安裝額定電壓為8kV的ESD器件并不能保證在系統(tǒng)測(cè)試時(shí)芯片集本身會(huì)通過(guò)8kV的電壓。
通常，ESD器件本身不會(huì)提供充足的保護(hù)，從而導(dǎo)致芯片集過(guò)早損壞。本白皮書(shū)提供了幾點(diǎn)指導(dǎo)意見(jiàn)，設(shè)計(jì)者可以用它來(lái)加強(qiáng)板上ESD保護(hù)。
器件布置與布局
器件位置和布局對(duì)于讓ESD保護(hù)器發(fā)揮最大效用具有至關(guān)重要的作用。為此，設(shè)計(jì)者最好了解各種寄生電感的板級(jí)效應(yīng)。還特別介紹了電感，因?yàn)?kV ESD（即30A）時(shí)，僅1nH的電感就會(huì)通過(guò)關(guān)聯(lián)在PCB跡線(xiàn)上產(chǎn)生30V的尖峰電壓。
在決定ESD器件布局時(shí)，應(yīng)該考慮4種寄生電感，即LESD、LGND、LIC和LPORT，其位置如圖2所示。
LESD和LGND能夠提高箝位電壓（或VIC），而LIC和LPORT則對(duì)設(shè)計(jì)者有利。我們先介紹這2種有害電感。
LESD和LGND
有時(shí)，電路板布局不允許將ESD器件直接安裝在PCB跡線(xiàn)上面。原因各異，但即使將ESD元件安裝在距離受保護(hù)數(shù)據(jù)線(xiàn)路1厘米遠(yuǎn)的地方也可能會(huì)迅速轉(zhuǎn)化為幾十伏的電壓。GND總線(xiàn)也一樣。在某些設(shè)計(jì)中，ESD器件的GND必須穿過(guò)幾個(gè)通孔，甚至采用迂回路線(xiàn)到達(dá)接地面。除了流經(jīng)ESD器件的ESD電流產(chǎn)生的電壓以外，這兩種電感還會(huì)產(chǎn)生電壓尖脈沖（即IPEAK×RDYNAMIC）。
下述簡(jiǎn)例說(shuō)明了LESD和LGND對(duì)VIC的影響。在介紹該實(shí)例之前，應(yīng)該指出的是，常見(jiàn)的PCB生產(chǎn)工藝為典型的微帶跡線(xiàn)提供了約3nH/cm的電感（假定具有一定的寬度、厚度和介電常數(shù)）。
考慮到這一點(diǎn)，我們假設(shè)具有8kV ESD脈沖和動(dòng)態(tài)電阻為1Ω的ESD器件。并且，我們來(lái)看看2種不同的布局，即布局A和布局B，其中LESD=LGND=1.5nH（各0.5cm），LESD=LGND=3.0nH（各1.0cm）。
因此，只需要將跡線(xiàn)長(zhǎng)度（即LESD和LGND）從0.5cm增加到1cm就可以讓將VIC提高75%。圖3介紹布局B以及與各個(gè)元件有關(guān)的電壓。
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LIC和LPORT
很多ESD器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中經(jīng)常提到讓器件盡可能靠近ESD輸入點(diǎn)。這樣LPORT/LIC比就會(huì)盡可能得低（即LIC>>LPORT）。LPORT的電感未必會(huì)影響整體的ESD性能，但LIC的電感則肯定會(huì)影響ESD性能。
LIC 的非線(xiàn)性會(huì)通過(guò)大幅削減IC電壓來(lái)充當(dāng)ESD脈沖的初始峰值電流的緩沖器。隨著電感的降低（即ESD器件越來(lái)越靠近IC），電壓降也會(huì)不斷減小，直到無(wú)法獲得任何優(yōu)勢(shì)時(shí)為止。所以，將LPORT/LIC比降至最低以便利用PCB跡線(xiàn)的寄生特性對(duì)設(shè)計(jì)者最有利。我們所說(shuō)的電壓降如圖4所示。
利用LIC和LPORT是提升整體ESD性能的直接方法。然而，無(wú)論上述比值有多小，仍然有設(shè)計(jì)會(huì)過(guò)早地出現(xiàn)故障。換句話(huà)說(shuō)，LIC未能為峰值ESD電流提供充足的緩沖。
有時(shí)候，采用先前的技術(shù)不足以為給定電路板設(shè)計(jì)提供最大限度的ESD保護(hù)。原因在于流經(jīng)“片上”ESD結(jié)構(gòu)的電流過(guò)多，并且在I/O短接至GND或VCC時(shí)被損壞。
圖5有助于將它弄清楚，表明ESD器件和受保護(hù)的IC實(shí)際上共同承擔(dān)了來(lái)自于ESD脈沖的電流負(fù)載。該數(shù)值（負(fù)跡線(xiàn)電感）對(duì)應(yīng)于正ESD脈沖，其中保護(hù)器件吸收了大多數(shù)電流，但是它本質(zhì)上是一個(gè)帶有IC的電阻分壓器。
如圖5所示，IC上的軌對(duì)軌二極管負(fù)責(zé)將剩余的或“允通”電流導(dǎo)入VCC（它一般會(huì)通過(guò)旁路電容器回到GND）。很難確定什么樣的等效電阻適于為IC實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)，但是無(wú)疑比板上ESD器件高得多。
例如，如果將10Ω的電阻用于實(shí)現(xiàn)片上保護(hù)（RCHIP），1Ω的RDYNAMIC用于外部ESD保護(hù)器，那么流經(jīng)IC的峰值電流應(yīng)該是：
為了幫助降低流入IC的峰值電流，可以將電阻器串聯(lián)在外部ESD器件和IC之間，如圖6所示。
通過(guò)增加10Ω的緩沖電阻，就可以將流入IC的峰值電流降低約50%（如本例）。
很顯然，電阻可以增加10Ω以上，從而進(jìn)一步降低了允通電流。通常，最高電阻由應(yīng)用要素決定。
還應(yīng)注意，在將這種技術(shù)用于高速應(yīng)用（如HDMITM和USB3.0）時(shí)更要小心。RBUFFER電阻器會(huì)干擾線(xiàn)路阻抗，使信號(hào)衰減的程度超出了2種標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性規(guī)范所規(guī)定的范圍，但是精心的電路板設(shè)計(jì)可以抵消任何不良影響。盡管如此，電路板設(shè)計(jì)者還是應(yīng)該將這種技術(shù)保存在工具箱內(nèi)，并在電路板或在系統(tǒng)ESD 等級(jí)降至要求以下時(shí)使用。
結(jié)論
如今，現(xiàn)代芯片集對(duì)ESD瞬變導(dǎo)致的損壞比以往任何時(shí)候都更敏感。由于小型工藝技術(shù)的原因，這些IC需要穩(wěn)定的外部ESD解決方案以便經(jīng)受住在系統(tǒng)ESD測(cè)試的考驗(yàn)。
本文介紹了4種電路板設(shè)計(jì)者可以用來(lái)優(yōu)化ESD解決方案的策略或規(guī)程。
1. 縮短寄生“截?cái)?rdquo;跡線(xiàn)的長(zhǎng)度或LESD。
2. 縮短GND跡線(xiàn)長(zhǎng)度和/或減少使用的通孔數(shù)量以便縮短LGND。
3. 讓特定設(shè)計(jì)上的LIC/LPORT比盡可能地小。
4. 如果1Ω-3Ω的電阻不夠，則在ESD器件和IC直接添加緩沖電阻器。
所有這些方法均旨在降低流經(jīng)IC的電壓，以及限制片上ESD結(jié)構(gòu)必須處理的電流。按照這些簡(jiǎn)單規(guī)則行事能夠?yàn)殡娐钒逶O(shè)計(jì)者提供更穩(wěn)定、超出行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求的ESD解決方案。
