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產(chǎn)品特性：

•  輸入電容僅為 32pF
• 在225度其柵極洩漏限于 5.6μA
• 在225度這種邏輯級(jí) MOSFET 可到 230mA

應(yīng)用范圍：

•   高溫度傳感器接口

高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID 推出了新產(chǎn)品的行星家族高溫晶體管和開關(guān)。汞是一種高溫80V 的小信號(hào)N 溝道 MOSFET 晶體管，其保證的工作溫度范圍為攝氏負(fù)55 度至225 度。憑藉其極端溫度的魯棒性，其輸入電容僅為 32pF，在225度其柵極洩漏限于5.6μA，這80V 的晶體管非常適合用于高溫度傳感器接口，如壓電式傳感器或執(zhí)行一個(gè)保護(hù)放大器。

在225度這種邏輯級(jí) MOSFET 可到230mA，也可用于切換中或高電阻，例如：轉(zhuǎn)換3.3V/5V的邏輯信號(hào)至高壓開汲極輸出而開啟/關(guān)閉時(shí)間低于5ns。最后，源極綁在閘極，在高溫度范圍下水銀可被用作高可靠性的80V 小電流二極管。

汞，引用為 CHT-SNMOS80，在TO-39 金屬封裝的評(píng)估用之樣品現(xiàn)在已可提供。數(shù)量在200 粒以上，起步價(jià)為歐元129一個(gè)。