国产粉嫩小泬在线观看泬-亚洲中文字幕无码乱线-色呦呦官网-国产色爽-偷窥村妇洗澡毛毛多-亚洲狠狠做深爱婷婷影院-国产精品1-国产精彩视频在线-无码精品人妻一区二区三区免费看-国产av老师丝袜美腿丝袜-久久99婷婷-成人性生生活性生交3-性xxxx狂欢老少配o-九九九久久久久-黄色免费网站在线看-亚洲综合色区另类小说-欧美a∨-av在线免费观看网址-岛国av在线免费观看-国产精品v片在线观看不卡

產品特性：

• 開關速度和損耗均得到改善
• 具有500V電壓等級
• 具有低至63ns的trr和114nC的Qrr
• 柵極電荷為34nC

應用范圍：

• 電子設計

日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。

SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。

Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導損耗，可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓撲中節省能源。

為了能可靠地工作，該器件進行了完備的雪崩測試，可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續電流(由最高結溫限定)。
SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝，符合RoHS指令2002/95/EC。

新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。