【導讀】中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室太赫茲器件研究組研制出截止頻率達到3.37THz的太赫茲肖特基二極管和應用于太赫茲頻段的石英電路，可作為太赫茲倍頻器核心元件，經中電集團41所驗證，性能與國際同類產品相當。
近日，中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）太赫茲器件研究組研制出截止頻率達到3.37THz的太赫茲肖特基二極管和應用于太赫茲頻段的石英電路。該器件作為太赫茲倍頻器核心元件，經中電集團41所驗證，性能與國際同類產品相當。
太赫茲波指的是頻率在0.1THz~10.0THz范圍的電磁波。它具有很多優異的性質，被美國評為“改變未來世界的十大技術”之一。太赫茲波譜學、太赫茲成像和太赫茲通信是當前研究的三大方向。在安全檢查、無損探測、天體物理、生物、醫學、大氣物理、環境生態以及軍事科學等諸多科學領域有著重要的應用。具有極高截止頻率的肖特基二極管能夠在室溫下實現太赫茲波的混頻、探測和倍頻，是太赫茲核心技術之一；此外，在低損耗的襯底上實現太赫茲電路是太赫茲技術得以實現的基礎。
由四室主任金智研究員領導的太赫茲器件與電路研究組針對太赫茲電路的關鍵技術開展研究，對器件外延材料生長的進行了設計與優化，突破了低電阻歐姆接觸合金、肖特基微孔刻蝕和空氣橋腐蝕技術等關鍵制作工藝，有效地降低了器件的串聯電阻和寄生電容，實現了可在太赫茲頻段應用的肖特基二極管，并開發了多種肖特基二極管的集成方式（見圖1），太赫茲肖特基二極管（見圖2）器件的最高截止頻率達到3.37THz，可廣泛應用于太赫茲波的檢測、倍頻和混頻。
為了解決太赫茲頻段下外圍電路損耗高的問題，研究人員開發出器件與電路襯底背面減薄技術，并采用低介電常數石英材料實現了太赫茲電路，研制出厚度小于50um，可應用于太赫茲頻段核心電路（見圖3），極大地減小了在太赫茲頻段的損耗，提高了電路模塊的效率。
課題組與中電集團第41研究所聯合開展了太赫茲倍頻器的驗證工作，采用自主研制的太赫茲肖特基二極管器件實現了倍頻器在太赫茲頻段的工作，在 170~220 GHz的倍頻效率為3.6%，220~325 GHz的倍頻效率達到1.0%（見圖4），可實現寬頻帶倍頻，其輸出功率和倍頻效率與國外VDI同類產品相當，該倍頻器可用于構建寬頻帶太赫茲源，在太赫茲成像、太赫茲通信和衛星遙感方面有著廣闊的應用前景。對于太赫茲系統的核心器件（主要是肖特基二極管）的國產化具有重要意義，為國內的太赫茲技術的發展提供良好的器件和工藝支撐。
圖1 不同種類的太赫茲肖特基多管級聯結構（a）單管（b）串管（c）對管
圖2 不同結面積的太赫茲肖特基二極管的截止頻率
圖3 石英核心電路照片
圖4 肖特基二極管倍頻器輸出功率測試結果（與VDI產品對比）
