新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下- 首款MDmesh V產品采用TO-220封裝，導通電阻0.079Ω
- RDS(ON)低至0.022Ω/0.038Ω
- 筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機
- 熒光燈鎮流器、電信設備、太陽能電池轉換器
- 需要高壓功率因數校正或開關功率轉換的應用設備
意法半導體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術達到業內最低的單位芯片面積導通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和功率都達到業內領先水平。這些產品的目標應用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統。
33A的STP42N65M5是意法半導體的首款MDmesh V產品，采用TO-220封裝，導通電阻0.079Ω。降低的導通電阻有助于提高能效，在大多數功率轉換系統中，可實現業內最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產品還提供其它的封裝選擇，包括D2PAK貼裝以及TO-220FP、I2PAK和TO-247。目前正在量產的STx16N65M5系列也是650V產品，額定RDS(ON) 為0.299 Ω，額定電流為12A。意法半導體的MDmesh V 650V MOSFET技術藍圖還包括電流更大的產品，采用Max247封裝的產品RDS(ON)低至0.022Ω，TO-247封裝低至0.038Ω。這些產品計劃在2009年3月上市。
“MDmesh V產品在RDS(ON)上的改進將會大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗，從而能夠實現能耗更低、尺寸更小的新一代電子產品，”意法半導體功率MOSFET產品部市場總監Maurizio Giudice表示，“這項新技術將幫助產品設計工程師解決新出現的挑戰，例如，新節能設計法規的能效目標，同時再生能源市場也是此項技術的受益者，因為它可以節省在電源控制模塊消耗的寶貴電能。”
作為意法半導體在成功的多漏網格技術上的最新進步，通過改進晶體管的漏極結構，降低漏--源電壓降，MDmesh V在單位面積導通電阻RDS(ON) 上表現異常出色。此項優點可降低這款產品的通態損耗，同時還能使柵電荷量(Qg)保持很低，在高速開關時實現優異的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值（FOM）。新產品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產品的擊穿電壓，為設計工程師提供寶貴的安全裕量。意法半導體的MDmesh V MOSFET的另一項優點是，關斷波形更加平滑，柵極控制更加容易，并且由于EMI降低，濾波設計更加簡單。
MDmesh V MOSFET的節能優勢和高功率密度將會給終端用戶產品的節能帶來實質性提升，例如：筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機、熒光燈鎮流器、電信設備、太陽能電池轉換器以及其它的需要高壓功率因數校正或開關功率轉換的應用設備。
