產品特點：
- 導通電阻和品質因素分別降低40%和34%
- 對于80V系列而言，功率損耗降低10%
應用領域：
- 開關模式電源（SMPS）、電機控制和快速開關D類功放等電源產品
英飛凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產品系列具備領先的導通電阻（RDS(on)）和品質因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源（SMPS）、電機控制和快速開關D類功放等電源產品的功率損耗并改善其整體能效。
OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關模式電源（譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源）的同步整流的理想選擇。電腦產業拯救氣候行動計劃發起的80PLUS Gold金牌認證規定的新能效目標，要求在美國能源之星計劃當前的要求基礎上再使計算機的能效提高約10％。英飛凌此次新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足這些規范。英飛凌的OptiMOS 3 75V器件采用節省空間的SuperSO8封裝，相對于同類器件而言，導通電阻和品質因素分別降低40%和34%，結果可使SMPS的同步整流級的功率損耗降低高達10%。
目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS 3工藝制造的器件型號已接近100個，每款都具備最低的導通電阻、極低的柵極電荷，降低產品的導通損耗和整體功耗。例如，OptiMOS 3 80V系列已成為電源同步整流的行業標準。全新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列相對于80V系列而言，功率損耗降低10%，確?？蛻暨_到更加嚴格的能效要求。
導通電阻最低溫度系數［<0.7%/°K］等特性，確保在溫度升高時，實現極低的導通損耗。更低的功率損耗消除了多器件并聯需求，并允許采用較小的散熱器，從而降低了系統成本。
英飛凌OptiMOS 3 75V功率MOSFET還有助于客戶設計出更加緊湊的電源。例如，采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3 75V器件可用于代替同等功率密度的D-PAK器件。這可使占板空間、垂直高度和封裝寬度分別降低60%、77%（從4.44毫米降至1毫米）和50%左右（從10.1毫米降至5.15毫米）。另外一案例，英飛凌還推出了采用TO-220封裝、典型導通電阻為2毫歐的高功率OptiMOS 3 75V功率MOSFET器件，可替換兩顆替代性器件。
供貨情況
英飛凌OptiMOS 3 75V 功率MOSFET系列包含一款采用SuperSO8封裝、導通電阻為4.2毫歐的器件，單價為0.7美元（訂購量達到10,000顆）；同時，當訂購量達到10,000顆時，采用TO-220、TO-262和D?PAK封裝的型號的單價分別為0.65美元（導通電阻等級為5毫歐）、0.9美元（導通電阻等級為3毫歐）和1.7美元（導通電阻等級為2毫歐）。
