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- Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET®功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
《今日電子》的編輯從開(kāi)創(chuàng)性的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步、性價(jià)比顯著提高三個(gè)方面，對(duì)前一年發(fā)布的數(shù)百款產(chǎn)品進(jìn)行評(píng)選。Vishay的SiR662DP功率MOSFET憑借在DC/DC應(yīng)用上的創(chuàng)新和成功示范，榮獲該獎(jiǎng)項(xiàng)。
《今日電子》Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的頒獎(jiǎng)儀式在9月8日北京國(guó)賓酒店舉行的2011電源技術(shù)研討會(huì)期間舉行。Vishay公司北京辦公室的銷售經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)取該獎(jiǎng)項(xiàng)。
SiR662DP的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，可降低能耗，尤其是重負(fù)載條件下，而低導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積(優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM)能夠降低高頻和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高效率使設(shè)計(jì)者能夠提高系統(tǒng)的功率密度，在更加綠色環(huán)保的解決方案中實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗。
