【導(dǎo)讀】在電子設(shè)計的路上，遇到難題怎么辦？面對同僚們的顧左右而言他，不如來二姨家論壇里尋求真知灼見。這里有不期而遇的隱身高手，也有誨人不倦的熱情攻城獅，道理越辯越明，思想碰撞出火花，快來加入吧。
以下Q代表問題的提出，A代表網(wǎng)友的回答。
Q:
各位模擬大神，求教一個問題。如下圖，BAT+點的電壓，通常在2.4～2.8V左右，但是，每當(dāng)按鍵之后，MCU的5腳輸出高電平，導(dǎo)通了Q1的一瞬間，BAT+點的電壓會被瞬間拉低1.5～1.7V左右，持續(xù)約數(shù)十毫秒，結(jié)果就把MCU給拉死了，導(dǎo)致復(fù)位重啟。
求教有無解決辦法？？？
A1:
電池內(nèi)阻太大，帶不動電機(jī)
A2：
C2再并聯(lián)一較大電容數(shù)uF，再不行則R7再串蕭持基二極管。電池也并聯(lián)大值電容。我一個產(chǎn)品也一樣情況，MCU采用2V可動作的，大電容用22uF，9V電池，負(fù)載是電磁蜂嗚器和RF發(fā)射。
Q:
to A1,電池是鎳氫電池，帶動電機(jī)沒問題的。電機(jī)本身也是一個很小的有刷直流小電機(jī)而已。
最大的問題，還是MOS管導(dǎo)通的瞬間，相當(dāng)于短路到地了，所以才會將電源電壓給瞬間拉低的。
A2所提到的這些方法都嘗試過了：
1、C2并大電容，一直試到220uF才解決問題，但是電容體積太大（電解電容），外殼裝不下。
2、并聯(lián)肖特基，導(dǎo)致MCU端的供電電壓下降了0.2～0.3V，當(dāng)電池電壓下降到2.0V時就面臨復(fù)位的風(fēng)險了，因為MCU的復(fù)位電壓點就設(shè)置在1.6～1.8V之間。并且還是要并聯(lián)大電容，外殼不允許。
3、MCU本身就是可以工作于2.0V以下的，最低可以到1.6V左右。
請指教，看看是否還有其他解決辦法？
A3：
用pwm，占空比從小到大，慢慢啟動。
Q：
嗯，軟啟動這招已經(jīng)試過了，效果確實可以，但是客戶不接受，理由是：軟啟動導(dǎo)致馬達(dá)緩慢轉(zhuǎn)起來，在轉(zhuǎn)動的那一瞬間，感覺很沒勁。
而硬啟動，在啟動的一瞬間有一種“猛然上沖”的感覺，體驗比較爽。這是客戶自己說的，我是死活 提驗不出有啥差別。
該客戶是互聯(lián)網(wǎng)客戶，典型的不懂硬件的SB，實在沒招，唉！??！
A4：
BAT+到單片機(jī)VDD，用肖特基二極管，然后電容盡可能的大。把單片機(jī)電源與電池隔離，單片機(jī)的耗電在壓一壓。
A5：
當(dāng)以上方法確實用盡，終極方法：電機(jī)串小電阻。
A6：
mos管，那個100歐換大點，換個2K，下拉電阻加大，減少耗電。電容就能多抗一會。如果那個3r3換成肖特基，電容應(yīng)該不需要這么大。電容的體積，不一定很大。
A7：
也許該由電池夾子背鍋。兩個電池如果用電池夾子安裝，有3-4個接觸點，如果彈力不足，或接觸表面不好，接觸電阻可能比較大。
A8：
C1 應(yīng)該改小。1nF 即可。 二極管D2已經(jīng)保護(hù)了MOSFET，電容只是通過EMC用。
用100nF 會讓電源瞬間跌落一半，甚至更多。MLCC誤差可能達(dá)到50%。
電池兩端并聯(lián)大電容可以讓電機(jī)有“猛然上沖”的感覺，還可以減少其他毛病。一個瓷介電容都沒有點不可思議。
A9：
用宵特基把MCU的電源和其他部分隔開即可。還不行，再加大MCU電源的電容。
A10：
C2并大電容 + 并聯(lián)肖特基要一起上，這樣電容應(yīng)該可以小點。
如果肖特基壓降太大，可以改用低RDS(ON)的PMOS管，
啟動電機(jī)前先關(guān)了它，過了啟動大電流期再打開。
Q:
A10這個方法測試過了，雖然可以解決問題，但是又引入了其他新的問題，所以最終還是被否決了。
謝謝A8 指教！感覺挺有道理的，回頭我試試。
這個電路是客戶自己設(shè)計的，我們只是配合做了MCU及軟件而已。現(xiàn)在出了問題就賴在我們身上，要求給解決，沒轍啊，只能硬著頭皮上了。
to A7,電池是焊死在板子上的，不存在接觸不良的問題。
來源：21ic論壇
