- 效率高達65%
- 輸出功率為75W
- 支持“綠色”架構
- 私人移動無線通信
- 3G/4G無線基礎設施
- ISM、軍事和民用雷達
- ATV傳輸網絡
日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產RF3932，這種無與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)比砷化鎵和硅工藝技術的性能更出色。
RF3932是繼最近140瓦特RF3934推出之后的續推產品，RF3934是RFMD的UPT系列中輸出功率最高的器件。RFMD計劃在 2011年第一季度推出第三個氮化鎵UPT器件，以擴大其氮化鎵功率晶體管系列，為RFMD客戶提供更多的選擇。目前，RF3932可提供樣品，并已實現量產。
RFMD的氮化鎵功率晶體管支持“綠色”架構，可降低能源消耗，提高網絡運營商的熱能管理和網絡效率。RF3932的工作頻率極為廣泛(直流到3GHz)，可提供超過65%的高峰值效率。而且，RF3932整合了原本封裝在外部的簡單、經優化的匹配網絡，在單個放大器中提供寬帶增益和功率性能優勢。RF3932采用兩端含鉛的密閉陶瓷法蘭封裝，利用RFMD先進的散熱和功耗技術提供卓越的熱穩定性和傳導性。根據整體的功率要求，75瓦特的 RF3932和140瓦特的RF3934是驅動器及/或輸出階段的最佳選擇。
RFMD多市場產品部(MPG)總裁Bob Van Buskirk說：“RFMD非常高興能夠擴展我們基于氮化鎵的產品系列，為各種終端市場提供行業領先的功率性能。RFMD的氮化鎵產品系列明確地反映出我們追求技術和產品領導地位的承諾，我們希望引進更多具有出色的功率密度、高效率、高可靠性和“綠色”能耗優勢的氮化鎵產品。”
RFMD的48伏高功率密度氮化鎵半導體工藝具有高射頻功率密度和效率、低電容和高熱能傳導性。這些特點使精密高效的高功率放大器 (HPAs)得到發展及廣泛應用，這些應用包括私人移動無線通信(PMR)、3G/4G無線基礎設施、ISM(工業、科學和醫療)、軍事和民用雷達以及 CATV傳輸網絡。
