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產品特性：

• 外部量子效率可提高到90～95％
• 光檢測能力可提高到1.5～2倍
• 在半導體上形成硅量子點薄膜

應用范圍：

• 圖像傳感器

美國風險企業InVisage Technologies公開了采用硅量子點的圖像傳感器技術。據介紹，采用這種該公司稱為“QuantumFilm”的技術，外部量子效率可提高到90～95％，與此前的CMOS圖像傳感器相比，光檢測能力可提高到1.5～2倍左右。該公司總裁兼首席執行官Jess Lee表示，“我們認為，要促使基于半導體技術的圖像傳感器領域發展，較為理想的做法是以全新的思維重新開發”。Lee以前曾在美國知名圖像傳感器企業豪威科技（OmniVision Technologies）擔任過副總裁。

作為采用QuantumFilm技術的首款產品，InVisage比較關注手機用圖像傳感器市場。預定2010年第四季度開始樣品供貨。2011年中期開始量產。

終端廠商可像迄今的圖像傳感器一樣使用InVisage的圖像傳感器。目前尚未公開產品化初期時圖像傳感器的功能及價格等詳情。關于價格，該公司的目標是實現“價格與市售的500～800萬像素產品相同，而性能卻遠遠高于原產品”（Lee）。

特點是在半導體上形成硅量子點薄膜
InVisage開發的QuantumFilm技術，需要在普通的CMOS層上形成0.5μm厚的膜。這種膜上嵌有2～5nm直徑的硅量子點。這種薄膜可進行光檢測，還可將轉換為數字數據的信息轉送至膜下面的半導體層。另外，此次未公開膜使用的材料。據介紹，硅量子點膜沒有使用違反RoHS指令的物質。

Lee表示，普通的CMOS圖像傳感器，進行光檢測的硅層外部量子效率約為50％。并且，光照射到硅層之前需要經過彩色濾光片和金屬層，所以光量會減少50％左右。因此，“為了提高光檢測能力，原來的CMOS圖像傳感器廠商會采用背面照射技術，或導入65nm工藝等最尖端制造技術。而我們的方法是對膜下層的硅半導體使用8英寸晶圓的110nm工藝”（Lee）。

據介紹，InVisage的圖像傳感器制造工藝，采用可追加到普通半導體生產線上的裝置，并在CMOS層上形成硅量子點膜。該公司將圖像傳感器的生產委托給了臺灣臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing）。

除了圖像傳感器領域以外，InVisage還稱，正在考慮將其技術應用于太陽能電池及顯示器領域。