【導讀】SiCMOSFET與SiMOSFET各有其優勢，SiMOSFET管的輸出阻抗高，反向耐壓提高，通態電阻隨之上升，有效限制了高壓場合的應用。SiCMOSFET管的阻斷電壓高，工作頻率高，且耐高溫，這兩種MOSFET管隔油器優勢特點和應用的場合，本文就詳細講述SiMOSFET管和SiCMOSFET管的性價比哪個高。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高（10倍于Si），更寬的能帶隙（3倍于Si），熱導率高（3倍于Si），這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。
SiCMOSFET性能明顯優于SiMOSFET
1.極其低的導通電阻RDS(ON)，導致了極其優越的正向壓降和導通損耗，更能適應高溫環境下工作。
2.SiCMOSFET管具有SiMOSFET管的輸入特性，即相當低的柵極電荷，導致性能卓越的切換速率。
3.寬禁帶寬度材料，具有相當低的漏電流，更能適應高電壓的環境應用。
SiCMOSFET與SiMOSFET在設備中應用對比
現代工業對電力電子設備提出了許多新的要求，要求體積小、功率大、發熱量小、設備輕便等。面對這些新要求，SiMOSFET一籌莫展，而SiCMOSFET就開始大顯身手了。通過對SiCMOSFET管與SiMOSFET管相關電氣參數進行比較，我們可以肯定SiCMOSFET將成為高壓高頻場合中應用的主流器件，可謂應用SiCMOSFET者得天下。
圖1：SiCMOSFET與SiMOSFET在設備中應用的對比圖
低電阻特性，SiC具有低電阻特性，在同等電壓和電流等級的MOSFET中，SiCMOSFET的內阻要幾倍小于SiMOSFET的內阻，且SiC的模塊體積小型化，有利于增加系統功率密度。
高速工作特性，SiCMOSFET相對于SiMOSFET具有更高頻率的工作特性，使系統中的電容電感器件體積小型化，減小系統整體體積，同時也降低了生產加工成本。
高溫工作特性，SiCMOSFET比SiMOSFET更適合應用于高溫工作環境，原因在于一方面SiCMOSFET自身損耗小，發熱量小，自身溫升相對較小，另一方面，熱導率高3倍于SiMOSFET。
圖2：SiC與Si性價比對照圖
有了以上特性對比結果，我們可以清楚的認識到SiCMOSFET性能全面優于SiMOSFET。雖然單個SiCMOSFET價格高于SiMOSFET，
但是應用了SiCMOSFET的系統設備整體價格低于應用SiMOSFET的設備，原因在于SiCMOSFET各項優秀性能使得設備中的電容容值減小、電感降低、散熱片面積和體積減少以及設備整體體積和成本明顯減小。歡迎撥打世強服務熱線電話40088-73266獲得專業快捷的服務！
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