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雙向電源設(shè)計的優(yōu)點
現(xiàn)在可供設(shè)計人員使用的模塊化組件提供了兩個關(guān)鍵屬性：它們可用作有效且高效的“直流變壓器” - 也就是說，它們提供固定比率的直流-直流轉(zhuǎn)換：并且它們本質(zhì)上是雙向的。關(guān)于如何實現(xiàn)雙向操作的詳細描述超出了本文的范圍；但是，通過查看作為支持技術(shù)的正弦振幅轉(zhuǎn)換器的主要元件，可以獲得“粗略”的理解。
2024-12-28
雙向電源 對稱轉(zhuǎn)換器
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準 Z 源逆變器的設(shè)計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓撲不同，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓撲結(jié)構(gòu)增強了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓撲演變而來的，允許在一個階段進行升壓和降壓操作。
2024-12-22
逆變器
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能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來
二十多年來，科學(xué)家和氣候?qū)W家一直在發(fā)出警示，提醒人們關(guān)注全球變暖的影響及其與溫室氣體（GHG）排放之間的聯(lián)系。但如今，全球社會的注意力已經(jīng)轉(zhuǎn)向具體的行動，以及如何解決氣候變化的根本原因和相關(guān)影響。半導(dǎo)體是現(xiàn)代設(shè)備、電動汽車（EV）、智能手機、機器人等產(chǎn)品的大腦中樞。通過定制創(chuàng)新和自...
2024-12-20
能源 清潔科技 可持續(xù)發(fā)展
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對比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設(shè)計分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點和缺點有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-13
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
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第11講：三菱電機工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機 工業(yè) SiC 芯片技術(shù)
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用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動智能的可靠性評估平臺
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。
2024-12-12
矩陣開關(guān) 熱載流子
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運行可靠性：工業(yè)電源的關(guān)鍵指標
為確保電源能在各類應(yīng)用場景，尤其是在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中為設(shè)備持續(xù)運行提供支持，確保電源設(shè)計具有較高的運行可靠性至關(guān)重要。本博客將從以下幾個方面探討運行可靠性：運行可靠性的定義、評估方法以及 RECOM 電源設(shè)計如何最大限度地提高運行可靠性。
2024-12-11
工業(yè)電源
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LED 調(diào)光引擎：基于 8 位 MCU 的開關(guān)模式可調(diào)光 LED 驅(qū)動器解決方案
開關(guān)模式可調(diào)光 LED 驅(qū)動器以其高效率和對 LED 電流的控制而聞名。它們還可以提供調(diào)光功能，使終用戶能夠創(chuàng)造出夢幻般的照明效果，同時降低功耗。
2024-12-05
LED 調(diào)光引擎 MCU 開關(guān)模式 LED 驅(qū)動器
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面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
電動汽車 數(shù)據(jù)中心 SiC GaN
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