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紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導率高達 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
紅外熱成像儀 放大器 芯片結溫
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走向特定領域的EDA
似乎越來越多的公司正在創建自定義 EDA 工具，但尚不清楚這一趨勢是否正在加速以及它對主流EDA行業意味著什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干貨】強大的4開關升降壓BOB電源，可升可降、能大能小
基于電感器的開關架構電源有3中常見的拓撲結構，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負壓電源，今天介紹的第4中拓撲——4開關BOB電源，在手機、汽車、嵌入式等領域都有廣泛應用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優勢呢？
2022-09-27
BOB電源 升壓電源 負壓電源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導通損耗和低動態損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統和電機驅動等工業應用。但與此同時，工程師也面臨著獨特的設計挑戰。實現更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統的散熱性能，是相互矛盾的挑戰，但英飛凌創新的.XT技術...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技術
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采用MEMS技術制備的全硅法珀傳感器
近年來，微機電系統(MEMS)技術的發展，為光纖傳感領域注入新活力，將其與光纖結合為高靈敏度壓力測量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產、性能優易穩定等特點。
2022-09-26
MEMS技術 全硅法珀傳感器
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如果把開關電源的頻率無限提升..........
估計很多新手工程師在設計開關電源計算變壓器時發現，把電源的開關頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開關頻率無限制提高來無限制縮小變壓器的體積。
2022-09-26
開關電源 頻率
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術實現更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設計并在不同應用中表現良好的產品。IGBT應能助力打造出擁有優化系統成本的可擴展逆變器產品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術以及對應的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業、醫療、交通、消費等行業的電力電子設備中，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。因此，實現更低的開關損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封裝 MOSFET 源極管腳
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業中至關重要的節能設備，ABB傳動一直致力于用先進的產品和技術，創新的解決方案為客戶創造價值，提高生產效能水平，助力變頻器產業升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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