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能源電力

1200V IGBT4：具備優化特性的英飛凌新一代功率半導體

對于采用先進、高效的變頻器的工業節能應用市場而言，經過優化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足現代化變頻器的要求。

2009-01-22

IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊

電子電路產業穩中有升、面臨轉型

中國電子電路產業將進入重新調整布局的新時代，產品技術含量越來越高，企業具有更多的自主研發、自主知識產權的項目，管理水平全面提升，企業效益不斷增長，三廢治理逐步達到國際先進水平。中國將迎來PCB業強盛的新時代。中國電子電路行業盡管這五六年有些起伏，但是近30年來總體上保持持續高...

2009-01-19

PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路

多晶硅量子效應及其對MOSFET閾值電壓的影響

根據載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數值模擬的結果進行了比較，表明其具有較好的準確性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓

FCI收購IMPLO Technologies公司

法國FCI日前收購了面向電力市場的內爆(implosive)連接器產品開發商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發的技術用于其為電力傳輸連接應用提供的產品。

2009-01-16

FCI內爆技術電力應用

太陽能發電成本下降，2010年將達到每千瓦時0.13美元

太陽能發電的成本不斷下降，但仍高于傳統的發電技術。

2009-01-15

太陽能發電薄膜太陽能光電模組硅晶太陽能光電模組

WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻

Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產品是業界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。

2009-01-15

WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR

08年國內高純多晶硅產量同比爆增263.7%

國內20多個省市把光伏產業作重點，規劃或計劃建設多晶硅項目，國內對千噸級多晶硅的規模化生產技術尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產能增長快，為國內多晶硅企業提升工藝技術留下緩沖時間。

2009-01-14

洛陽中硅新光硅業江蘇中能東汽峨嵋多晶硅光伏產業太陽能

“可以給壁掛電視充電”，Powermat公開非接觸充電技術

以色列Powermat公司在面向新聞界舉行的CES 2009會前發布會上，公開演示了該公司的非接觸充電系統。不久之后將上市用于手機、智能電話、便攜式游戲終端及個人電腦的非接觸充電產品。

2009-01-14

CES 2009 磁耦合電腦手機智能手機游戲終端壁掛電視照明適配器 RFID

2008年1-11月電子產品進出口達8242億美元

2008年以來，我國電子信息產品進出口貿易保持平穩較快增長態勢，但自下半年起增幅明顯回落。1-11月，電子信息產品累計進出口總額為 8242.2億美元，同比增長13.3%，比2007年同期下降10.3%，低于同期全國商品進出口增幅7.6%。

2009-01-12

電子信息進出口貿易電子元件

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