配合BCM的濾波方案
原著: Salah Ben Doua – 銷(xiāo)售及高級(jí)應(yīng)用工程師 及 Marco Panizza – 歐洲應(yīng)用工程部經(jīng)理
V·I晶片獲得空前低噪聲水平的功率轉(zhuǎn)換。這是由于使用了新穎而且專(zhuān)利的軟開(kāi)關(guān)(ZCS/ZVS)
拓?fù)洌筕·I晶片相比其他硬開(kāi)關(guān)的次兆赫磚式轉(zhuǎn)換器，傳導(dǎo)及輻射噪聲極低，使到較敏感的
電路不受其害。
在沒(méi)有外加濾波電容時(shí)，BCM的輸出紋波已少于其輸出電壓的1%。因?yàn)椴捎?.5MHz之極高
開(kāi)關(guān)頻率，只需少量之電感及電容，已能把負(fù)載點(diǎn)之紋波衰減至0.1%以下，而此等少量電
感，已可在電路板之布線找到，無(wú)需額外添置。只需外加少量陶瓷電容便可以了。亦因?yàn)檫@獨(dú)
特的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)解決高頻障礙，以至整體系統(tǒng)的EMI濾波變成簡(jiǎn)單，不再?gòu)?fù)雜或大體積，使成
本降低。
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